Otsingu tulemused
Mine navigeerimisribale
Mine otsikasti
Vasted lehekülje pealkirjades
- [[Pilt:Polycrystalline silicon rod.jpg|pisi|Polükristallilise räni tükk]] ...allilisest ränist]], mida kasutatakse [[mikroelektroonika]]s, ja [[Amorfne räni|amorfsest ränist]], mida saab kasutada väga õhukese kihina näiteks [[kiletr ...1 KB (165 sõna) - 23. aprill 2019, kell 08:38
Vasted lehekülje tekstides
- [[Pilt:Polycrystalline silicon rod.jpg|pisi|Polükristallilise räni tükk]] ...allilisest ränist]], mida kasutatakse [[mikroelektroonika]]s, ja [[Amorfne räni|amorfsest ränist]], mida saab kasutada väga õhukese kihina näiteks [[kiletr ...1 KB (165 sõna) - 23. aprill 2019, kell 08:38
- ...s ''wafer''<ref name="xsylN" />) on õhuke [[Pooljuht|pooljuhi]], näiteks [[räni]]kristalli, viilukujuline [[toorik]]. Seda kasutatakse [[pooljuhttehnoloogi ...ulatades]] silindriline kõrge puhtusega [[monokristall]] pooljuhi (näiteks räni või [[germaanium]]i) [[toorik]].<ref name="mDmO4" /><ref name="Grover" /> ...13 KB (1661 sõna) - 25. juuni 2024, kell 14:41
- === Räni dopeerimise näide === [[Pilt:Schema - p-dotiertes Silicium.svg|pisi|Räni p-dopeerimine alumiiniumiga]] ...19 KB (2370 sõna) - 2. oktoober 2023, kell 08:08
- ...usi asuda miniaturiseerima vedeliksüsteeme. 1980. aastate lõpul valmistati räni baasil seadmeile [[mikroklapid|mikroklappe]], [[mikropumbad|mikropumpasid]] ...ne [[mikrokanal]]ites. Ühekordselt kasutatavates seadmetes kasutamiseks on räni ka kallis. Lisaks hakati keskenduma mikroseadmete funktsionaalsusele ja või ...12 KB (1568 sõna) - 13. märts 2025, kell 08:56
- [[Pilt:solar cell.png|pisi|[[Monokristall]]ilisest [[räni]]st päikeseelement]] ...av kiht räniplaadi pealispinnas 10–100 [[mikromeeter |µm]] (olenevalt räni kristallistruktuurist). Õhukesekilelistel elementidel võib kile olla sada k ...20 KB (2458 sõna) - 25. veebruar 2025, kell 18:18
- [[Germaanium]]i ja [[räni]] monokristalle saab tänapäeval kasvatada ülisuure puhtusega. III-V rühma p ...aterjalist välja tõmmatakse. Sinna külge moodustub monokristall. Erinevalt räni ja germaaniumi tootmisest on GaAs peal vedel booroksiidi (B<sub>2</sub>O<su ...13 KB (1691 sõna) - 13. august 2021, kell 02:15
- ...ännik, Monika Grauberg, Arkadi Popov, Andrus Lehtmets, Margus Kamar, Riina Räni, Veronika Reinhard, Ülle Jõesaar, Marius Kupper, Ahti Varblane, Marko Ild, ...4 KB (499 sõna) - 19. veebruar 2025, kell 12:47
- Pooljuhtdioode valmistatakse [[monokristall|monokristallilisest]] [[räni]]st ja [[germaanium]]ist, samuti pooljuhtühendeist (peamiselt [[galliumarse ...4 KB (558 sõna) - 11. oktoober 2023, kell 18:57
- | [[Räni]] || 11,68 ...5 KB (606 sõna) - 15. oktoober 2022, kell 10:41
- ...0<sup>−1</sup> Nd ja 2,582·10<sup>−1</sup> Sm [[aatom]]it miljoni [[räni]] aatomi kohta<ref>Anders, E. & Grevesse, N. (1989). Abundances of the elem ...5 KB (603 sõna) - 19. juuli 2024, kell 14:15
- ...terjalides moodustatakse tahke lahuse sulameid, näiteks raua-nikli ja raua-räni sulameid. Keraamilisi ferriite kasutatakse sageli sellistes rakendustes, mi ...aterjali arendamine sai alguse 1900, aastatel. Algselt seisnes see räni ([[Räni|Si]]) lisamises, mille tulemuseks olid magnetilised teraslehed. NiFe sulami ...16 KB (1957 sõna) - 29. aprill 2024, kell 11:57
- ...lektriliste pooljuhtidena kasutatakse vismuti telluriidi, plii telluriidi, räni-germaaniumit ning vismuti ja antimoni sulameid. Eelnimetatutest on vismuti # '''Polükristalse räni-germaaniumi kihi kasvatamine.''' [[Termoelektriline efekt|Termoelektrilise] ...19 KB (2423 sõna) - 3. september 2024, kell 16:41
- ...Kui mitte arvestada [[kvantmehaanika]]lisi efekte ja lävipinge kõikumist [[räni|Si]]-pooljuhtplaadi ja paisu vahel, kirjeldab plaatidevahelist [[mahtuvus]] ...7 KB (986 sõna) - 16. november 2024, kell 02:37
- ...on oma võimekuselt detektorite madalamas otsas, järgnevad PIN-dioodid ning räni triivi detektorid on kõrgeima võimekusega. ...oni energia detekteerimise hetkel. Ajalooliselt on detektorid baseerunud [[räni]]st [[pooljuht]]idel, liitiumiga dopeeritud ränikristallidel või ülipuhaste ...24 KB (3098 sõna) - 14. juuni 2024, kell 20:22
- ...larisatsioon]]i ehk [[Piesoelekter|piesoefekti]]. Peamised materjalid on [[räni]] (monokristall), õhuke [[polüräni]] riba, metallmembraan, paks kile, atomi ...mahtuvuse muutus. Peamised diafragma materjalid on [[metall]], keraamika, räni. Enamasti kasutatakse selliseid andureid, et mõõta madalamaid rõhkusid (abs ...19 KB (2660 sõna) - 20. detsember 2024, kell 06:36
- Veel kasutatakse kristallidena räni ja germaaniumi, mille eelisteks on kõvadus ning parem vastupidavus hapetele ...9 KB (1257 sõna) - 3. märts 2025, kell 12:14
- ...' on Fermi energianivoode potentsiaalide vahe dopeeritud räni ja loomuliku räni vahel; ''φ'' on elektrolüüt-membraani kontaktpinna potentsiaal, mis sõltub ...24 KB (3127 sõna) - 8. detsember 2023, kell 18:36
- ...Kalkulaatorite juures kasutati [[Polükristalliline räni|polükristallilist räni]] selleks, et sees olevaid akusid laadida ning toita. Mõned aastad hiljem h ...20 KB (2468 sõna) - 15. jaanuar 2025, kell 06:34
- ...) augu (kujuteldava) jõu selle augu kiirendusega. Mõnes pooljuhis, näiteks räni, sõltub efektiivmass suunast (anisotroopne), kuid mõnede makroskoopiliste a ...11 KB (1569 sõna) - 3. juuli 2021, kell 17:57
- ...rac|1000|{{gaps|27,976|926|532|5}}}}·{{gaps|6,022|141|79}}·10<sup>23</sup> räni-28 aatomi massi.<ref name="3HWCo" /> ...22 KB (3020 sõna) - 28. juuli 2024, kell 19:50